Ваш город Екатеринбург?

Двухлучевой микроскоп Helios Nanolab

В наличии

Двухлучевой микроскоп Helios NanoLab объединяет технологии автоэмиссионной электронной и фокусированной ионной колонн для 2D- и 3D-анализа, нанопрототипирования и подготовки образцов.

Система поддерживает ускоряющее напряжение 500 В–30 кВ, ток ионного пучка до 65 нА и разрешение ионного пучка до 2,5 нм.

  • Технические характеристики

    Температура окружающей среды 20 ± 3
    Относительная влажность <80
    Диапазон энергии пучка у поверхности образца 20 В – 30 кВ
    Максимальный ток пучка до 65 нА
    Диапазон ускоряющего напряжения 500 В – 30 кВ
    Срок службы источника электронов 12 месяцев
    Разрешение ионного пучка в точке пересечения 4,0 нм при 30 кВ, 2,5 нм при 30 кВ
    Ток зонда электронного пучка CX от 0,8 пА до 22 нА
    Ток зонда электронного пучка UC от 0,8 пА до 100 нА
    Ток зонда ионного пучка 0,1 пА – 65 нА
    Перемещение предметного столика в плоскости XY 110×110 мм (150×150 UC)
    Воспроизводимость результатов < 2,0 мкм
    Моторизованное перемещение по оси Z 65 мм (10 мм UC)
    Поворот предметного столика n x 360°
    Наклон предметного столика -15° / +75° (-10° … +60° UC)
    Угол между колоннами ионов и электронов 52°
    Количество портов рабочей камеры 21
    Турбомолекулярный насос 210 л/с
    Вакуум в камере < 2,6 * 10-6 мбар
    Время выполнения операции 0,025–25 000 мкс/пиксель
    Максимальное разрешение изображения до 6144 x 4096 пикселей
    Частота 50 или 60 Гц +/- 1%
    Потребляемая мощность <3,0 кВА
    Сопротивление заземления <0,1 Ом
    Сила тока плазменного пучка от 1.5пА да 1.3 мА
    Напряжение плазменной пушки 2 кВ — 30 кВ
    Максимальная ширина горизонтального поля ионного пучка 0,9 мм
    Максимальная высота образца 85 мм до точки Вцентрика (55 мм UC)
  • Описание

    В двухлучевой системе Helios реализованы технологии автоэмиссионной SEM, фокусированного ионного пучка FIB и совместного использования этих технологий. Helios NanoLab предназначен для сверхвысокого разрешения при выполнении 2D- и 3D-анализа, создании нанопрототипов и подготовке образцов. Технология Elstar™ FESEM обеспечивает детализацию в нанометровом диапазоне в различных рабочих режимах: при 30 кВ в режиме STEM и при 500 В для получения данных о поверхности. Предусмотрены тройная система детектирования внутри колонны и режим иммерсии для формирования изображений SE и BSE.

  • Особенности

    • Электронная пушка Elstar, включая термополевой эмиттер Шоттки, переключение между режимами без нарушения вакуума и технологию UC с монохроматором.
    • Диапазон энергии пучка у поверхности образца 20 В – 30 кВ.
    • 60° объектив с двумя линзами и защитой полюсного наконечника.
    • Нагреваемые апертуры объектива.
    • Электростатическое сканирование.
    • Технология линзы с постоянной мощностью ConstantPower™.
    • Торможение пучка с подачей потенциала на предметный столик от 0 В до –4 кВ.
    • Интегрированная функция быстрого гашения пучка.
    • Ионная колонна Tomahawk.
    • Работа на высоком токе с максимальным током пучка до 65 нА.
    • Диапазон ускоряющего напряжения 500 В – 30 кВ.
    • Двухступенчатая дифференциальная откачка.
    • Времяпролётная коррекция TOF.
    • 15 апертур.
    • Срок службы источника электронов: 12 месяцев.
    • Разрешение ионного пучка в точке пересечения: 4,0 нм при 30 кВ и 2,5 нм при 30 кВ.
    • Максимальная ширина горизонтального поля: электронный пучок 2,3 мм, ионный пучок 0,9 мм.
    • Ток зонда: электронный пучок от 0,8 пА до 22 нА для CX и от 0,8 пА до 100 нА для UC; ионный пучок 0,1 пА – 65 нА.
  • Комплектация

    • Прибор
    • Инструкция

    Производитель оставляет за собой право изменить комплект поставки.

  • Документы

  • Варианты доставки

    1. Самовывоз
    • Свердловская область, г. Екатеринбург, ул. Щорса 7А, офис 19
    • пн-пт: с 9-00 до 18-00

Подскажем и поможем с выбором оборудования

Напишите нам, если нужна помощь с выбором оборудования или есть вопросы по поставкам

Либо свяжитесь напрямую:
  • Ведерникова Ирина
    Ведерникова Ирина Менеджер ОПТового отдела
  • Грязнева Ксения
    Грязнева Ксения Руководитель ОПТового отдела