В наличии
Двухлучевой микроскоп Helios NanoLab объединяет технологии автоэмиссионной электронной и фокусированной ионной колонн для 2D- и 3D-анализа, нанопрототипирования и подготовки образцов.
Система поддерживает ускоряющее напряжение 500 В–30 кВ, ток ионного пучка до 65 нА и разрешение ионного пучка до 2,5 нм.
| Температура окружающей среды | 20 ± 3 |
| Относительная влажность | <80 |
| Диапазон энергии пучка у поверхности образца | 20 В – 30 кВ |
| Максимальный ток пучка | до 65 нА |
| Диапазон ускоряющего напряжения | 500 В – 30 кВ |
| Срок службы источника электронов | 12 месяцев |
| Разрешение ионного пучка в точке пересечения | 4,0 нм при 30 кВ, 2,5 нм при 30 кВ |
| Ток зонда электронного пучка CX | от 0,8 пА до 22 нА |
| Ток зонда электронного пучка UC | от 0,8 пА до 100 нА |
| Ток зонда ионного пучка | 0,1 пА – 65 нА |
| Перемещение предметного столика в плоскости XY | 110×110 мм (150×150 UC) |
| Воспроизводимость результатов | < 2,0 мкм |
| Моторизованное перемещение по оси Z | 65 мм (10 мм UC) |
| Поворот предметного столика | n x 360° |
| Наклон предметного столика | -15° / +75° (-10° … +60° UC) |
| Угол между колоннами ионов и электронов | 52° |
| Количество портов рабочей камеры | 21 |
| Турбомолекулярный насос | 210 л/с |
| Вакуум в камере | < 2,6 * 10-6 мбар |
| Время выполнения операции | 0,025–25 000 мкс/пиксель |
| Максимальное разрешение изображения | до 6144 x 4096 пикселей |
| Частота | 50 или 60 Гц +/- 1% |
| Потребляемая мощность | <3,0 кВА |
| Сопротивление заземления | <0,1 Ом |
| Сила тока плазменного пучка | от 1.5пА да 1.3 мА |
| Напряжение плазменной пушки | 2 кВ — 30 кВ |
| Максимальная ширина горизонтального поля ионного пучка | 0,9 мм |
| Максимальная высота образца | 85 мм до точки Вцентрика (55 мм UC) |
В двухлучевой системе Helios реализованы технологии автоэмиссионной SEM, фокусированного ионного пучка FIB и совместного использования этих технологий. Helios NanoLab предназначен для сверхвысокого разрешения при выполнении 2D- и 3D-анализа, создании нанопрототипов и подготовке образцов. Технология Elstar™ FESEM обеспечивает детализацию в нанометровом диапазоне в различных рабочих режимах: при 30 кВ в режиме STEM и при 500 В для получения данных о поверхности. Предусмотрены тройная система детектирования внутри колонны и режим иммерсии для формирования изображений SE и BSE.
Производитель оставляет за собой право изменить комплект поставки.
По запросу
По запросу
Напишите нам, если нужна помощь с выбором оборудования или есть вопросы по поставкам
Введите номер телефона и мы перезвоним вам в течении 15 минут